NSVBCW32LT1G

NSVBCW32LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA V; 最大集电极基极电压:32 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

Type:	NPN
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	32 V
Maximum DC Collector Current:	0.1 A
Minimum DC Current Gain:	200@2mA@5V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.25@0.5mA@10mA V
Maximum Collector Base Voltage:	32 V
Operating Temperature:	-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	300 mW
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

网站首页

产品展示

联系我们

NSVBCW32LT1G

电气特性 Features

推荐产品

BC847CWH6327XTSA1

2N4923G

BC856S,115

2SA1705T-AN

BC849CLT1G

BC80716WE6327

BC560CG

BC846BDW1T1G

订阅

联系方式

关注我们