功率晶体管

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NSVMMBT6520LT1G

NSVMMBT6520LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:20@1mA@10V|30@10mA@10V|30@30mA@10V|20@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA|0.35@2mA@20mA|0.5@3mA@30mA|1@5mA@50mA V; 最大集电极基极电压:350 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	PNP
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	350 V
Maximum DC Collector Current:	0.5 A
Minimum DC Current Gain:	20@1mA@10V\|30@10mA@10V\|30@30mA@10V\|20@50mA@10V\|15@100mA@10V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.3@1mA@10mA\|0.35@2mA@20mA\|0.5@3mA@30mA\|1@5mA@50mA V
Maximum Collector Base Voltage:	350 V
Operating Temperature:	-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	300 mW
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

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