PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@2V|180@500mA@2V|130@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.13@50mA@500mA|0.26@50mA@1A|0.24@100mA@1A V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1000 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	PNP
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	30 V
Maximum DC Collector Current:	1 A
Minimum DC Current Gain:	250@100mA@2V\|180@500mA@2V\|130@1A@2V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.13@50mA@500mA\|0.26@50mA@1A\|0.24@100mA@1A V
Maximum Collector Base Voltage:	30 V
Operating Temperature:	-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	1000 mW
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

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