SNSS20101JT1G

SNSS20101JT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:Trans,参数:类型:NPN; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@10m@2V|200@100mA@2V|150@500mA@2V|100@1A@2V; 最大工作频率:350(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.015@0.5mA@10mA|0.04@0.01A@0.1A|0.115@0.05A@0.5A|0.22@0.1A@1A V; 最大集电极基极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	NPN
Maximum Collector Emitter Voltage:	20 V
Maximum DC Collector Current:	2 A
Minimum DC Current Gain:	200@10m@2V\|200@100mA@2V\|150@500mA@2V\|100@1A@2V
Maximum Operating Frequency:	350(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.015@0.5mA@10mA\|0.04@0.01A@0.1A\|0.115@0.05A@0.5A\|0.22@0.1A@1A V
Maximum Collector Base Voltage:	40 V
Operating Temperature:	-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	300 mW
Rad Hard:	No

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