BC859C,215

BC859C,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:250 mW; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Type:	PNP
Pin Count:	3
Maximum Collector Emitter Voltage:	30 V
Maximum DC Collector Current:	0.1 A
Minimum DC Current Gain:	420@2mA@5V
Maximum Operating Frequency:	100(Min) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	0.3@0.5mA@10mA\|0.65@5mA@100mA V
Maximum Collector Base Voltage:	30 V
Operating Temperature:	-65 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:	250 mW
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

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