P沟道场效应管

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IRF9540N

IRF9540N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=140W,Id@TC 25C=-23A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -100V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
Qg(Typ): 64.7nC
Rth(JC): 1.1K/W
Power Dissipation@TC 25C: 140W
Id@TC 25C: -23A

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