P沟道场效应管

全部集成电路(IC) 二极管三极管场效应管(MosFET) 开关元件整流器(整流管) 继电器传感器光电器件保护器件(TVS_ESD) 压电晶体,频率元件(晶振) 连接器,接插件 LED显示器件电容器电阻器电感器其它产品

你的位置 : 首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > P沟道场效应管

IRF9530N

IRF9530N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=79W,Id@TC 25C=-14A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -100V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
Qg(Typ): 38.7nC
Rth(JC): 1.9K/W
Power Dissipation@TC 25C: 79W
Id@TC 25C: -14A

推荐产品

订阅

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

联系方式

地址: 广东省深圳市福田区
电话:86-755-83897562

手机:8675583897562
邮箱:szzetai@126.com在线支持：

关注我们

Copyright © 版权所有 2006-2026 深圳市泽泰科技

粤ICP备13037741号

电话

86-755-83897562