P沟道场效应管

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IRF9530N

IRF9530N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=79W,Id@TC 25C=-14A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -100V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
Qg(Typ): 38.7nC
Rth(JC): 1.9K/W
Power Dissipation@TC 25C: 79W
Id@TC 25C: -14A

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