P沟道场效应管

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IRF7342D2

IRF7342D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=26.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
Vbrdss: -55V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
Qg(Typ): 26.0nC
Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

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