P沟道场效应管

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IRF5803

IRF5803,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=112.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=190.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -40V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
Qg(Typ): 25.0nC
Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

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