P沟道场效应管

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IRFH9310

IRFH9310,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=7.1mOhms,Qg Typ=58.0nC,Rth(JC)=1.6K/W,Id@TC 25C=-40A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -30V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 4.6m?
RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
Qg(Typ): 58.0nC
Rth(JC): 1.6K/W
Id@TC 25C: -40A

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