P沟道场效应管

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IRFHM9391

IRFHM9391,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=14.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.5mOhms,Qg Typ=32.0nC,Rth(JC)=3.8K/W,Power Dissipation@TC 25C=33W,Id@TC 25C=-38A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

P沟道功率MOS管
Vbrdss: -30V
Vgs: 25V
RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
Qg(Typ): 32.0nC
Rth(JC): 3.8K/W
Power Dissipation@TC 25C: 33W
Id@TC 25C: -38A

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