TLE2062MDR

TLE2062MDR ,JFET 输入低功耗高驱动双路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,生产批号2019年,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.8 MHz,典型转换速率:3.4@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.62@5V mA,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:0.000003(Typ)@5V uA,典型输入噪声电压密度:59@5V nV/rtHz,最低CMRR值:65 dB,关闭功能:No,最小双电源电压:3.5 V,最大双电源电压:18 V,工作温度:-55 to 125 ℃,典型非反相输入噪声电流密度:0.001@5V pA/rtHz93.06 dB，目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

每芯片的通道数: 2
类别: General Purpose Amplifier
典型增益带宽积: 1.8 MHz
典型转换速率: 3.4@±5V V/us
轨至轨功能: No
最大电源电流: 0.62@±5V mA
最大输入失调电压: 5@±5V mV
最大输入偏置电流: 0.000003(Typ)@±5V uA
典型输入噪声电压密度: 59@±5V nV/rtHz
最低CMRR: 65 dB
关闭支持: No
最小双电源电压: ±3.5 V
最大双电源电压: ±18 V
封装类型: Surface Mount
工作温度: -55 to 125℃
典型非反相输入噪声电流密度: 0.001@±5V pA/rtHz
典型电压增益: 93.06 dB
是否抗辐射: No

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