N沟道场效应管

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IRF5801

IRF5801,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,批号2019年,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=0.6A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

N沟道功率MOS管
Vbrdss: 200V
Vgs: 30V
RDS(on) Max@10V: 2200.0mΩ
Id: 0.6A

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