N沟道场效应管

IRF100B202

IRF100B202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.6mOhms,Id=97A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
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  • 内容详情

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.6mΩ
  • Id: 97A

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