N沟道场效应管

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IRL6283M

IRL6283M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MD封装,批号2019年,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=0.75mOhms,Id=211A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

N沟道功率MOS管
Vbrdss: 20V
Vgs: 12V
RDS(on) Max@10V: 0.75mΩ
Id: 211A

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