N沟道场效应管
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2SK1875-V(TE85L,F)

2SK1875-V(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:32 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:32 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-20 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

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