N沟道场效应管
全部 集成电路(IC) 二极管 三极管 场效应管(MosFET) 开关元件 整流器(整流管) 继电器 传感器 光电器件 保护器件(TVS_ESD) 压电晶体,频率元件(晶振) 连接器,接插件 LED显示器件 电容器 电阻器 电感器 其它产品
你的位置 : 首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > N沟道场效应管

NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
在线询价
  • 内容详情

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4 V
Maximum Continuous Drain Current:60 mA
Maximum Gate Source Voltage:-3 V
Operating Temperature:-65 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

推荐产品

订阅

跟上我们不断发展的产品功能和技术。 输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

联系方式

  • 地址: 广东省深圳市福田区
  • 电话:86-755-83897562
    手机:8675583897562
  • 邮箱:szzetai@126.com在线支持：在线加好友  在线支持

关注我们

Copyright © 版权所有 2006-2026 深圳市泽泰科技

粤ICP备13037741号

电话

86-755-83897562