NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

Configuration:	Single Dual Source
Channel Type:	N
Maximum Drain Source Voltage:	4 V
Maximum Continuous Drain Current:	70 mA
Maximum Gate Source Voltage:	-3 V
Operating Temperature:	-65 to 125 ℃
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

推荐产品

IRLR3802

IRLR3802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-P...
IRFH5406

IRFH5406,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQF...
PMBFJ308,215

PMBFJ308,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:...
2N4392-E3

2N4392-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:...
IRF7855

IRF7855,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8...
IRF7739L1

IRF7739L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Di...
IRFP4321

IRFP4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-...
IRFS7762

IRFS7762,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-...

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

网站首页

产品展示

联系我们

NE3514S02-T1C-A

电气特性 Features

推荐产品

IRLR3802

IRFH5406

PMBFJ308,215

2N4392-E3

IRF7855

IRF7739L1

IRFP4321

IRFS7762

订阅

联系方式

关注我们