N沟道场效应管
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NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4 V
Maximum Continuous Drain Current:70 mA
Maximum Gate Source Voltage:-3 V
Operating Temperature:-65 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

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