NE3508M04-A

NE3508M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

Configuration:	Single Dual Source
Channel Type:	N
Maximum Drain Source Voltage:	4 V
Maximum Continuous Drain Current:	120 mA
Maximum Gate Source Voltage:	-3 V
Operating Temperature:	-65 to 150 ℃
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

推荐产品

IRLB4030

IRLB4030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-...
IRF5801PBF-1

IRF5801PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产...
IRFB7546

IRFB7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-...
IRLR2905

IRLR2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-P...
PMBFJ108,215

PMBFJ108,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:...
IRFSL4010

IRFSL4010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO...
IRF540N

IRF540N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-2...
IRFZ44ZL

IRFZ44ZL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-...

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

网站首页

产品展示

联系我们

NE3508M04-A

电气特性 Features

推荐产品

IRLB4030

IRF5801PBF-1

IRFB7546

IRLR2905

PMBFJ108,215

IRFSL4010

IRF540N

IRFZ44ZL

订阅

联系方式

关注我们