N沟道场效应管
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3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-4,参数:配置:Single Dual Gate; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大门源电压:8 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

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