PMBFJ109,215

PMBFJ109,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

Configuration:	Single
Channel Type:	N
Maximum Drain Source Voltage:	25 V
Maximum Gate Source Voltage:	-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:	-25 V
Operating Temperature:	-65 to 150 ℃
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

推荐产品

IRL1404ZS

IRL1404ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2...
3SK264-5-TG-E

3SK264-5-TG-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:...
IRF1018ES

IRF1018ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2...
IRFH7440

IRFH7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQF...
2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装...
IRF2807ZS

IRF2807ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2...
IRF3610S

IRF3610S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-...
IRFI530N

IRFI530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-...

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

网站首页

产品展示

联系我们

PMBFJ109,215

电气特性 Features

推荐产品

IRL1404ZS

3SK264-5-TG-E

IRF1018ES

IRFH7440

2SK3557-7-TB-E

IRF2807ZS

IRF3610S

IRFI530N

订阅

联系方式

关注我们