IGBT管_IGBT模块

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IRG8CH29K10F

IRG8CH29K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,批号2019年,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.70V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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电气特性 Features

低导通压降(Vceon)IGBT模块
Vces: 1200V
Vce(ON)@25℃(typ): 1.70V

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