IGBT管_IGBT模块

全部集成电路(IC) 二极管三极管场效应管(MosFET) 开关元件整流器(整流管) 继电器传感器光电器件保护器件(TVS_ESD) 压电晶体,频率元件(晶振) 连接器,接插件 LED显示器件电容器电阻器电感器其它产品

你的位置 : 首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > IGBT管_IGBT模块

IRG8CH50K10F

IRG8CH50K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,批号2019年,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

低导通压降(Vceon)IGBT模块
Vces: 1200V
Ic@100℃: 50A
Vce(ON)@25℃(typ): 1.70V

推荐产品

订阅

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

联系方式

地址: 广东省深圳市福田区
电话:86-755-83897562

手机:8675583897562
邮箱:szzetai@126.com在线支持：

关注我们

Copyright © 版权所有 2006-2026 深圳市泽泰科技

粤ICP备13037741号

电话

86-755-83897562