STGWT30H60DFB

STGWT30H60DFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

Configuration:	Single
Channel Type:	N
Maximum Collector Emitter Voltage:	600 V
Maximum Continuous Collector Current:	60 A
Maximum Gate Emitter Voltage:	±20 V
Mounting:	Through Hole
Operating Temperature:	-55 to 175 ℃
Rad Hard:	No

推荐产品

SKB15N60

SKB15N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infine...
IRGSL6B60KD

IRGSL6B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块...
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:...
IRGC4275B

IRGC4275B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由...
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fa...
IRG7CH75K10EF-R

IRG7CH75K10EF-R,超高速(8-30kHz)IG...
IRGC20B60KC

IRGC20B60KC,超高速(8-30kHz)IGBT模块...
IRG4PC40WPBF

IRG4PC40WPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR...

跟上我们不断发展的产品功能和技术。输入您的电子邮件并订阅我们的时事通讯。

网站首页

产品展示

联系我们

STGWT30H60DFB

电气特性 Features

推荐产品

SKB15N60

IRGSL6B60KD

HGT1S12N60A4DS

IRGC4275B

HGTG12N60A4D

IRG7CH75K10EF-R

IRGC20B60KC

IRG4PC40WPBF

订阅

联系方式

关注我们