IGBT管_IGBT模块
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GT60M303(Q)

GT60M303(Q),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3P(LH)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:900 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Collector Emitter Voltage:900 V
Maximum Continuous Collector Current:60 A
Maximum Gate Emitter Voltage:±25 V
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No

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