双N_双P沟道MOS管

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IRFHM8363

IRFHM8363,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,批号2019年,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=20.4mOhms,Rth(JA)=47C/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

双N沟道MOS管
Vbrdss: 30V
Vgs(Max): 20V
RDS(on) Max@4.5V: 20.4mΩ
Rth(JA): 47℃/W

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