MJD122-1

MJD122-1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-251-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@8A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A V; 最大集电极基极电压:100 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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内容详情

电气特性 Features

Configuration:	Single
Type:	NPN
Maximum Collector Emitter Voltage:	100 V
Peak DC Collector Current:	5 A
Minimum DC Current Gain:	100@8A@4V\|1000@4A@4V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	2@16mA@4A\|4@80mA@8A V
Maximum Collector Base Voltage:	100 V
Mounting:	Through Hole
Rad Hard:	No

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