MJD112T4

MJD112T4,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3@40mA@4A V; 最大集电极基极电压:100 V; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

在线询价

内容详情

电气特性 Features

Configuration:	Single
Type:	NPN
Maximum Collector Emitter Voltage:	100 V
Peak DC Collector Current:	2 A
Minimum DC Current Gain:	200@4A@3V\|500@500mA@3V\|1000@2A@3V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:	2@8mA@2A\|3@40mA@4A V
Maximum Collector Base Voltage:	100 V
Mounting:	Surface Mount
Rad Hard:	No

网站首页

产品展示

联系我们

MJD112T4

电气特性 Features

推荐产品

KSD560RTU

2N6052G

ULN2003AIDE4

BD677

ULN2004ADR

ULN2001A

NJVNJD35N04G

FMMT634TA

订阅

联系方式

关注我们